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DMD芯片

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发表于 2014-11-2 22:22:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
DMD精微反射镜面是一种整合的微机电上层结构电路单元 (MEMS superstructure cell),它是利用CMOS SRAM记忆晶胞所制 成。DMD上层结构的制造是从 完整CMOS内存电路开始,再透过光罩层的使用,制造出铝金属层和硬化光阻层            (hardened photoresist) 交替的上层结构,铝金属层包括地址电极 (address electrode)、绞链            (hinge)、轭 (yoke) 和反射镜,硬化光阻层则 作为牺牲层 (sacrificial layer),用来形成两个空气间 (air gaps)。铝金属会经过溅镀沉积 (sputter-deposited) 以及电浆蚀刻 (plasma-etched)            处理,牺牲层则会经过电浆去灰 (plasma-ashed) 处理,以便制造出层间的空气间隙  每个微反射镜都能将光线从两个方向反射出去,实际反射方向则视底层记忆晶胞的状态而定;当记忆晶胞处于「ON」状态时,反射镜会旋转至+12度,记忆晶胞处于「OFF」状态,反射镜会旋转至-12度。只要结合DMD以及适当光源和投影光学系统,反射镜就会把入射光反射进入或是离开投影镜头的透光孔,使得「ON」状态的反射镜看起来非常明亮,「OFF」状态的反射镜看起来就很黑暗。利用二位脉冲宽度调变可以得到灰阶效果,如果使用固定式或旋转式彩色滤镜,再搭配一颗或三颗DMD芯片, 即可得到彩色显示效果。DMD的输入是 由电流代表的电子字符,输出则是光学字符,这种光调变或开关技术又称为二位脉冲宽            度调变 (binary pulsewidth  modulation),它会把8位字符送至DMD的每个数字光开关输入端,产生28或256个灰阶。最简单的地 址序列 (address  sequence) 是将可供使用的字符 时间 (field time) 分成八个部份,再从最高有效位 (MSB) 到最低有效位            (LSB),依序在每个位时间使用一个地址序列。当整个光开关数组都被最高位寻址后,再将各个像素致能 (重设),使他们同时对最高有效位的状态 (1或0) 做出反应。在每个位时间,下个位会被加载内存数组,等到这个位时间结束时,这些像素会被重设,使它们同时对下个地址位做出反应。此过程会不断重复,直到所有的地址位都加载内存。入射光进入光开关后,会被光开关切 换或调变成为一群光包(light bundles),然后再反射出来,光包时间则是由电子字符的个别位所决定。对于观察者来说,由于光包时间远小于眼睛的整合响应(integration)时间,因此他们将会看到固定亮度的光线。
发表于 2014-11-2 22:28:45 | 显示全部楼层
百科上的东西,回帖就可以了,怎么又发新帖呢?
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 楼主| 发表于 2014-11-3 11:05:32 | 显示全部楼层
wulei 发表于 2014-11-2 22:28
百科上的东西,回帖就可以了,怎么又发新帖呢?

发来大家看看
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发表于 2014-11-7 13:18:10 | 显示全部楼层
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